砷化鎵（gallium arsenide），化學(xué)式 GaAs。黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。

    砷化鎵晶圓的用途各不相同，主要用于一些二極管、場效應(yīng)晶體管（FET）和集成電路（IC）等。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。此外，砷化鎵可以用于制造光通信和控制系統(tǒng)中的發(fā)光二極管（LED）。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料，其*的性能已使其成為線性數(shù)字IC生產(chǎn)中硅材料的替代者。但由于它在高溫下分解，要生產(chǎn)理想化學(xué)配比的高純的單晶材料，技術(shù)上要求比較高。

典型的砷化鎵晶圓拋光條件：

1、劃痕硬度（莫恩尺度）：3

2、磨料：氧化鋁粉

3、負(fù)荷（g cm-2）：60-80

4、機(jī)器：Logitech PM5 / LP50

5、夾具：Logitech PP5 / 6GT

典型的研磨和拋光結(jié)果：

1、平整度：5 Fringes

2、表面處理：Ra 3-4nm

3、厚度控制：+/- 2μm至100μm

4、平行度：+/- 2μm

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